மாக்னெட்ரான் ஸ்பட்டரிங் ஸ்பட்டரிங் இலக்கு கொள்கை

இலக்கு மாக்னெட்ரான் ஸ்பட்டரிங் சிதறல் கொள்கை:

சிதறிய இலக்குக்கு இடையே ஒரு ஆர்த்தோகனல் காந்தப்புலம் மற்றும் மின்சார புலம் சேர்க்கப்படுகிறது (கேத்தோடு) மற்றும் அனோட், மற்றும் தேவையான மந்த வாயு (பொதுவாக Ar வாயு) உயர் வெற்றிட அறையில் நிரப்பப்பட்டுள்ளது. நிரந்தர காந்த வடிவங்கள் 250-350 இலக்கு பொருள் மேற்பரப்பில். காசியன் காந்தப்புலம், மற்றும் உயர் மின்னழுத்த மின் புலம் ஒரு ஆர்த்தோகனல் மின்காந்த புலத்தை உருவாக்குகிறது.

மின்சார புலத்தின் செயல்பாட்டின் கீழ், ஆர் வாயு நேர்மறை அயனிகள் மற்றும் எலக்ட்ரான்களாக அயனியாக்குகிறது. இலக்குக்கு ஒரு குறிப்பிட்ட எதிர்மறை உயர் மின்னழுத்தம் பயன்படுத்தப்படுகிறது. இலக்கிலிருந்து உமிழப்படும் எலக்ட்ரான்கள் காந்தப்புலத்தால் பாதிக்கப்படுகின்றன மற்றும் வேலை செய்யும் வாயுவின் அயனியாக்கம் நிகழ்தகவு அதிகரிக்கிறது, கேத்தோடு அருகே அதிக அடர்த்தி கொண்ட பிளாஸ்மாவை உருவாக்குகிறது. லோரென்ட்ஸ் படை நடவடிக்கையின் கீழ், ஆர் அயனிகள் இலக்கு மேற்பரப்பில் முடுக்கி மற்றும் இலக்கு மேற்பரப்பில் அதிக வேகத்தில் குண்டு வீசுகின்றன, அதனால் இலக்கிலிருந்து வெளியேறிய அணுக்கள் வேக மாற்றத்தின் கொள்கையைப் பின்பற்றுகின்றன மற்றும் இலக்கு மேற்பரப்பில் இருந்து அதிக இயக்க ஆற்றலுடன் பறக்கின்றன. படத்தில் அடி மூலக்கூறு படிதல்.

மாக்னெட்ரான் ஸ்பட்டரிங் பொதுவாக இரண்டு வகைகளாகப் பிரிக்கப்படுகிறது: துணை நசுக்குதல் மற்றும் வானொலி அதிர்வெண் சிதறல். துணை துப்புரவு கருவிகளின் கொள்கை எளிது, மற்றும் உலோகங்கள் துளையிடும் போது அதன் வீதமும் வேகமாக இருக்கும் .. ரேடியோ அலைவரிசை ஸ்பட்டரிங் பயன்பாட்டு வரம்பு மிகவும் விரிவானது. கடத்தும் பொருள்களைத் துடைப்பது கூடுதலாக, கடத்தும் பொருட்கள் கூட சிதறடிக்கப்படலாம். அதே நேரத்தில், ஆக்சைடுகள் போன்ற கூட்டுப் பொருட்களைத் தயாரிக்க இது எதிர்வினைத் தெளிப்பை நடத்தும், நைட்ரைடுகள், மற்றும் கார்பைடுகள் .. ரேடியோ அதிர்வெண் அதிர்வெண் அதிகரித்தால், அது மைக்ரோவேவ் பிளாஸ்மா ஸ்பட்டரிங் ஆகிறது. தற்போது, எலக்ட்ரான் சைக்ளோட்ரான் அதிர்வு (ஈசிஆர்) மைக்ரோவேவ் பிளாஸ்மா ஸ்பட்டரிங் வகை பொதுவாக பயன்படுத்தப்படுகிறது..