Classificação de material alvo de pulverização catódica

Alvos de metal
Ni alvo de níquel, titânio alvo Ti, Zn alvo de zinco, Cromo alvo Cr, magnésio alvo Mg, alvo de nióbio Nb, alvo de lata Sn, Alvo de alumínio Al, alvo de índio em, alvo de ferro Fe, ZrAl alvo de zircônio, titânio alvo TiAl, Zr alvo de zircônio, AlSi alvo de silício de alumínio, silício alvo Si, cobre alvo Cu, alvo de tântalo Ta, germânio alvo Ge, alvo prata Ag, cobalto alvo Co, ouro alvo Au, Gd alvo de gadolínio, alvo de lantânio La, alvo de ítrio Y, alvo de cério Ce, alvo de aço inoxidável, NiCr, Hafnium Hf, Mo, FeNi, C, etc.
Alvos de cerâmica
Alvos de TI, alvos de óxido de magnésio, alvos de óxido de ferro, alvos de nitreto de silício, alvos de carboneto de silício, alvos de nitreto de titânio, alvos de óxido de cromo, alvos de óxido de zinco, alvos de sulfureto de zinco, alvos de dióxido de silício, alvos de óxido de silício, alvos de óxido de cério, metas de dióxido de zircônio, alvos de pentóxido de nióbio, alvos de dióxido de titânio, metas de dióxido de zircônio, metas de dióxido de háfnio, alvos de diboreto de titânio, alvos de diboreto de zircônio, alvos de trióxido de tungstênio, trióxido de alumínio tem como alvo o pentóxido de tântalo, O pentóxido de nióbio tem como alvo os alvos de fluoreto de magnésio, alvos de fluoreto de ítrio, alvos de seleneto de zinco, alvos de nitreto de alumínio, alvos de nitreto de silício, alvos de nitreto de boro, alvos de nitreto de titânio, alvos de carboneto de silício, alvos de niobato de lítio, alvos de titanato de praseodímio, alvos de titanato de bário, alvos de titanato de lantânio, alvos de óxido de níquel, alvos de pulverização catódica, etc.
Alvos de liga
FeCo, AlSi, TiSi, CrSi, ZnAl, TiZn, TiAl, TiZn, TiZr, TiSi, TiNi, NiCr, NiAl, NiV, NiFe, etc. [1]
Voz do Editor de Desenvolvimento
Vários tipos de materiais de película fina de pulverização catódica têm sido amplamente utilizados em circuitos integrados de semicondutores (VLSI), discos ópticos, monitores de tela plana e revestimento de superfície de peças de trabalho, etc. Desde a década de 1990, o desenvolvimento simultâneo de alvos de pulverização catódica e tecnologia de pulverização atendeu amplamente às necessidades de desenvolvimento de vários novos componentes eletrônicos. Por exemplo, no processo de fabricação de circuito integrado de semicondutor, a resistividade mais baixa do filme condutor de cobre em vez da fiação do filme de alumínio: na indústria de monitores de tela plana, uma variedade de tecnologia de exibição (como LCD, PDP, OLED e FED, etc.) do desenvolvimento simultâneo, alguns têm sido usados ​​em computadores e computadores para a fabricação de telas; na indústria de armazenamento de informações, a capacidade de armazenamento da memória magnética continua a aumentar, novos materiais de gravação óptica magnética Estes são os alvos de pulverização catódica necessários para a qualidade de requisitos cada vez mais elevados, o número de demanda também está aumentando ano a ano.

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