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ターゲット中波マグネトロンスパッタリングの知識を説明する

2021年10月10日

マグネトロンスパッタリングには多くの種類があり、それぞれに異なる動作原理と応用目的がありますが、共通点が1つあります。: 磁場と電子の間の相互作用により、電子はターゲット表面の周りをらせん状になります, これにより、電子がアルゴンガスに衝突してイオンを生成する確率が高くなります。生成されたイオンは、電界の作用下でターゲット表面に衝突して、スパッタリングターゲットをスパッタします。, 誰もが徐々に永久磁石を採用しています, そしてめったに使用されないコイル磁石。.

中間周波数スパッタリングの原理は、一般的なDCスパッタリングの原理と同じです。. 違いは、DCスパッタリングではバレルをアノードとして使用することです。, 中間周波数スパッタリングがペアになっている間. バレルが参加するかどうかは、全体的な設計によって決定する必要があります, およびシステム全体スパッタリングプロセス中, アノードとカソードの配置は関連しています. 比率サイクルに参加する方法はたくさんあります. さまざまな方法で、さまざまなスパッタリング収率とさまざまなイオン密度を得ることができます。.

中間周波数スパッタリングの主な技術は、電源の設計と応用にあります。. 現在のところ, より成熟した出力方法は、正弦波とパルス方形波です。. それぞれに長所と短所があります. 初め, フィルム層の種類を検討し、どの出力方法がどの方法に適しているかを分析します. フィルム層, 電源特性を使用して、目的のフィルム効果を得ることができます.

ターゲットは中間周波数ターゲットに使用されます, いくつかのスパッタリングターゲットは3つのペアを使用します。ターゲットは比較的大きいです。. 中間周波数に関する限り, ほとんどのワークピースは金属でメッキされています。このような真空炉は一般的に比較的大きく作られています。, 多くのタスクパーツを配置できます, メッキされたフィルムはより緻密です。.

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