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Principio del magnetron sputtering bersaglio sputtering

2021年8月31日

 

Principio dello sputtering del magnetron target sputtering:

Un campo magnetico ortogonale e un campo elettrico vengono aggiunti tra il bersaglio sputterato (catodo) e l'anodo, e il gas inerte richiesto (di solito Ar gas) è riempito nella camera ad alto vuoto. Il magnete permanente si forma 250-350 sulla superficie del materiale bersaglio. Il campo magnetico gaussiano, e il campo elettrico ad alta tensione formano un campo elettromagnetico ortogonale.

Sotto l'azione del campo elettrico, Il gas Ar si ionizza in ioni positivi ed elettroni. Una certa alta tensione negativa viene applicata al bersaglio. Gli elettroni emessi dal bersaglio sono influenzati dal campo magnetico e la probabilità di ionizzazione del gas di lavoro aumenta, formando un plasma ad alta densità vicino al catodo. Sotto l'azione della forza di Lorentz, Gli ioni Ar accelerano verso la superficie bersaglio e bombardano la superficie bersaglio ad alta velocità, in modo che gli atomi emessi dal bersaglio seguano il principio della conversione del momento e volino via dalla superficie del bersaglio con maggiore energia cinetica. Deposizione del substrato in pellicola.

Lo sputtering di magnetron è generalmente diviso in due tipi: sputtering tributario e sputtering a radiofrequenza. Il principio dell'attrezzatura per lo sputtering tributario è semplice, e la sua velocità è anche veloce quando sputtering metalli.. La gamma di applicazioni dello sputtering a radiofrequenza è più ampia. Oltre allo sputtering di materiali conduttivi, anche i materiali non conduttivi possono essere spruzzati. Allo stesso tempo, può anche condurre sputtering reattivo per preparare materiali composti come gli ossidi, nitruri, e carburi..Se si aumenta la frequenza della radiofrequenza, diventa plasma a microonde sputtering. Attualmente, risonanza ciclotronica elettronica (ECR) viene comunemente utilizzato lo sputtering al plasma a microonde..

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