સ્પર્ટિંગ લક્ષ્ય મેગ્નેટ્રોન સ્પટરિંગનો સિદ્ધાંત

મેગ્નેટ્રોન સ્પટરિંગ સિદ્ધાંત: વિખરાયેલા લક્ષ્ય વચ્ચે ઓર્થોગોનલ ચુંબકીય ક્ષેત્ર અને ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્ર ઉમેરો (કેથોડ) અને એનોડ, અને sputtering લક્ષ્ય જરૂરી નિષ્ક્રિય ગેસ સાથે ભરવામાં આવે છે (સામાન્ય રીતે એઆર ગેસ) ઉચ્ચ વેક્યુમ ચેમ્બરમાં. કાયમી ચુંબક એ બનાવે છે 250-350 લક્ષ્ય સામગ્રીની સપાટી પર ગૌસ ચુંબકીય ક્ષેત્ર, અને ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્ર સાથે ઓર્થોગોનલ ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક ક્ષેત્ર બનાવે છે..

ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્રની ક્રિયા હેઠળ, એર ગેસ હકારાત્મક આયનો અને ઇલેક્ટ્રોનમાં આયનાઇઝ કરે છે. ચોક્કસ નકારાત્મક ઉચ્ચ વોલ્ટેજ લક્ષ્ય પર લાગુ થાય છે. લક્ષ્યમાંથી નીકળેલા ઇલેક્ટ્રોન ચુંબકીય ક્ષેત્રથી પ્રભાવિત થાય છે અને કાર્યકારી ગેસની આયનીકરણની સંભાવના વધે છે, કેથોડની નજીક ઉચ્ચ ઘનતાવાળા પ્લાઝ્માની રચના. લોરેન્ટ્ઝ ફોર્સની ક્રિયા હેઠળ, Ar આયનો લક્ષ્ય સપાટી પર વેગ આપે છે અને speedંચી ઝડપે લક્ષ્ય સપાટી પર બોમ્બમારો કરે છે, જેથી લક્ષ્યમાંથી છૂટા પડેલા અણુઓ વેગ રૂપાંતરણના સિદ્ધાંતને અનુસરે અને ઉચ્ચ ગતિશીલ ઉર્જા સાથે લક્ષ્ય સપાટીથી દૂર ઉડે. ફિલ્મમાં સબસ્ટ્રેટ જુબાની. મેગ્નેટ્રોન સ્પટરિંગને સામાન્ય રીતે બે પ્રકારમાં વહેંચવામાં આવે છે: ડીસી સ્પટરિંગ અને રેડિયો ફ્રીક્વન્સી સ્પટરિંગ. ડીસી સ્પટરિંગ સાધનોનો સિદ્ધાંત સરળ છે. જ્યારે મેટલ sputtering, તેનો દર પણ ઝડપી છે..

રેડિયો ફ્રીક્વન્સી સ્પટરિંગની એપ્લિકેશન શ્રેણી વધુ વ્યાપક છે. સ્પુટરિંગ વાહક સામગ્રી ઉપરાંત, બિન-વાહક સામગ્રી પણ સ્પુટર થઈ શકે છે. તે જ સમયે, તે ઓક્સાઇડ જેવી સંયોજન સામગ્રી તૈયાર કરવા માટે પ્રતિક્રિયાશીલ સ્પટરિંગ પણ કરી શકે છે, નાઇટ્રાઇડ્સ, અને કાર્બાઈડ્સ..જ્યારે સ્પુટરિંગ લક્ષ્યની રેડિયો ફ્રીક્વન્સીમાં વધારો થાય છે, તે માઇક્રોવેવ પ્લાઝ્મા સ્પટરિંગ બની જાય છે. હાલ, ઇલેક્ટ્રોન સાયક્લોટ્રોન રેઝોનન્સ (ECR) પ્રકાર માઇક્રોવેવ પ્લાઝ્મા સ્પટરિંગનો સામાન્ય રીતે ઉપયોગ થાય છે..