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Das Prinzip des Sputtering-Target-Magnetron-Sputterns

202131. August

 

Magnetron-Sputter-Prinzip: fügen Sie ein orthogonales Magnetfeld und ein elektrisches Feld zwischen dem gesputterten Target hinzu (Kathode) und die Anode, und das Sputtertarget wird mit dem benötigten Inertgas gefüllt (normalerweise Ar-Gas) in der Hochvakuumkammer. Der Permanentmagnet bildet a 250-350 Gauss-Magnetfeld auf der Oberfläche des Targetmaterials, und bildet mit dem elektrischen Hochspannungsfeld ein orthogonales elektromagnetisches Feld..

Unter der Wirkung des elektrischen Feldes, Ar-Gas ionisiert in positive Ionen und Elektronen. An das Target wird eine bestimmte negative Hochspannung angelegt. Die vom Target emittierten Elektronen werden durch das Magnetfeld beeinflusst und die Ionisationswahrscheinlichkeit des Arbeitsgases steigt, Bildung eines hochdichten Plasmas in der Nähe der Kathode. Unter der Wirkung der Lorentzkraft, Ar-Ionen beschleunigen auf die Zieloberfläche und bombardieren die Zieloberfläche mit hoher Geschwindigkeit, damit die aus dem Target gesputterten Atome dem Prinzip der Impulsumwandlung folgen und mit höherer kinetischer Energie von der Targetoberfläche wegfliegen. Substratabscheidung in den Film. Magnetron-Sputtern wird im Allgemeinen in zwei Arten unterteilt: DC-Sputtern und Radiofrequenz-Sputtern. Das Prinzip der DC-Sputteranlage ist einfach. Beim Sputtern von Metall, seine Rate ist auch schnell..

Der Anwendungsbereich des Hochfrequenz-Sputterns ist umfangreicher. Neben dem Sputtern von leitfähigen Materialien, auch nichtleitende Materialien können gesputtert werden. Zur selben Zeit, es kann auch reaktives Sputtern durchführen, um Verbundmaterialien wie Oxide herzustellen, Nitride, und Karbide..Wenn die Frequenz der Radiofrequenz des Sputtertargets erhöht wird, es wird zum Mikrowellen-Plasma-Sputtern. Derzeit, Elektronenzyklotronresonanz (ECR) Mikrowellen-Plasma-Sputtern vom Typ wird allgemein verwendet..

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