Plansee, CIGS hüceyrələrinin səmərəliliyini effektiv şəkildə artırmaq üçün MoNa səpələnmiş hədəfləri işə salır

Ən son hesabata görə, Plansee High Performance Materials, bu yaxınlarda yüksək təmizliyə və vahid incə mikro quruluşa malik bir MoNa səpmə hədəfi başlatdı..İsveçrə Federal Material Elm və Texnologiya Laboratoriyası ilə birgə testin nəticələri. (Empa) göstərin ki, MoNa püskürtmə hədəflərinin performansı digər oxşar hədəflərdən daha yaxşıdır., CIGS günəş hüceyrələrinin səmərəliliyinin əhəmiyyətli dərəcədə artırıldığı deyilir.

Hal hazırda, Sənayedə bir çox problem var. ABŞ dolları ilə vatt başına istehsal dəyərinin azalması, CIGS günəş modulu istehsalçılarının qarşılaşdıqları ciddi problemlərdən biridir.; xüsusilə səpilmə prosesində, CIGS material çöküntüsü üçün vacib texnologiyalardan biridir, dönüşüm nisbətinin yaxşılaşdırılması üçün son dərəcə vacibdir. Tökülən filmlərin yüksək yanal homojenliyindən fərqli olaraq,Hədəf səpməkNormalda aşındırıcı xüsusiyyətlərə malikdir və homojenliyə malik deyil, fərqli plazma sıxlıqlarından qaynaqlanır, hədəf sahənin əksəriyyətində kifayət qədər material olsa belə, Bu çatışmazlığı aradan qaldırmaq üçün bəzi hədəflər dəyişdirilməlidir, “it sümüyü” fərqli xarici diametrli hədəflər - fırlanan hədəflər və fərqli qalınlıqdakı hədəflər - hədəfin ömrünü və dəyişdirmə dövrünü uzatmaq üçün həllərdən biridir..

Bunun üçün, Plansee bir həll hazırladı. Püskürtmə sistemini düz bir quruluşdan fırlanan bir hədəfə dəyişdirmək, hədəfin istifadə nisbətini təsirli bir şəkildə artıra bilər. 30% -ə 70%, bahalı xammal istifadəsinə qənaət edir. Təmiz molibdendən hazırlanan tək parçalı molibden fırlanan hədəfin arxa təmaslı molibden çöküntüsü əlavə fayda gətirir.: yəni, molibden materialını paslanmayan polad boruya bağlamaq üçün bahalı qaynaq materiallarından istifadə etməyə ehtiyac yoxdur, qədər yüksək püskürmə enerjisi 30 kW/m də istifadə edilə bilər, bu da yüksək istilik yükünə səbəb olur, və qaynaq hədəf materialı bu istilik yükünə tab gətirə bilməz: ən çox istifadə olunan qaynaq materialı indiyumdur, və bu material 156 ° C -də əridilir, Molibdenin hədəf materialı soyulma riskini ortadan qaldıra bilər. Yüksək enerji azalması da daha yüksək çökmə nisbətinə nail ola bilər və filmin xüsusiyyətlərini yaxşılaşdıra bilər., elektrik keçiriciliyinin artması kimi, və s..